MUR260
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Symbol
Value
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 2)
(IF
= 2.0 Amp, T
J
= 150
°C)
(IF
= 2.0 Amp, T
J
= 25
°C)
vF
1.15
1.35
V
Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 2)
(Rated dc Voltage, TJ
= 150
°C)
(Rated dc Voltage, TJ
= 25
°C)
iR
150
5.0
A
Maximum Reverse Recovery Time
(IF
= 1.0 Amp, di/dt = 50 Amp/
s)
(IF
= 0.5 Amp, I
R
= 1.0 Amp, I
REC
= 0.25 A)
trr
75
50
ns
Maximum Forward Recovery Time
(IF
= 1.0 A, di/dt = 100 A/
s, IREC
to 1.0 V)
tfr
50
ns
2. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ≤
2.0%.
VF, INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)
2.1
1.0
10
I
F
0.1
0.5 1.50.7 1.7 1.90.9 1.1 1.3
Figure 1. Maximum Forward Voltage
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS)
75°C
VF@ 150°C
25°C
125°C
Figure 2. Typical Forward Voltage
VF,
INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)
0.5 0.7
0.1
10
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS)
F
2.1
0.9
1.0
1.1 1.3 1.71.5 1.9
75°C
VF@ 150°C
25°C
i
125°C
相关PDF资料
MUR440-E3/54 DIODE 4A 400V 50NS UF
MUR440RLG DIODE ULTR FAST 4A 400V DO-201AD
MUR450PFRLG DIODE ULTR FAST 4A 520V DO-201AD
MUR480ERL DIODE ULTR FAST 4A 800V DO-201AD
MUR490E DIODE ULTR FAST 4A 900V DO-201AD
MUR805 DIODE ULTRA FAST 8A 50V TO-220AC
MUR8100E DIODE UFAST 1000V 8A TO-220AC
MUR860 DIODE ULTRAFAST 8A 600V TO-220AC
相关代理商/技术参数
MUR260S 制造商:GULFSEMI 制造商全称:Gulf Semiconductor 功能描述:GLASS PASSIVATED JUNCTION Ultra fast Plastic Rectifiers VOLTAGE: 600V CURRENT:2.0A
MUR280 制造商:GULFSEMI 制造商全称:Gulf Semiconductor 功能描述:GLASS PASSIVATED JUNCTION Ultra fast Plastic Rectifiers VOLTAGE: 800V CURRENT:2.0A
MUR280S 制造商:GULFSEMI 制造商全称:Gulf Semiconductor 功能描述:GLASS PASSIVATED JUNCTION Ultra fast Plastic Rectifiers VOLTAGE: 800V CURRENT:2.0A
MUR2960S 制造商:SIRECTIFIER 制造商全称:Sirectifier Semiconductors 功能描述:快速恢复二极管Fast Recovery Diodes,超快恢复二极管Ultra Fast Recovery Diodes,Tj = -40°C ~ 125°C, Tjm = 125°C。
MUR2X030A02 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 60A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):60A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):60ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 200V 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10
MUR2X030A06 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 60A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):60A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):60ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 600V 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10
MUR2X030A10 功能描述:DIODE GEN PURP 1000V 60A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):60A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):2.35V @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):85ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 1000V 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10
MUR2X030A12 功能描述:DIODE GEN PURP 1200V 60A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):60A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):2.35V @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):85ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 1200V 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10